Ion Assist蒸着法の特徴
なぜイットリウム(Y)系の材料を使うのか?
・従来のアルミ素材($Al_2O_3$)はプラズマに晒されるとガス化して削れ、ゴミ(パーティクル)の原因になっていました。
・一方、イットリウム系($Y_2O_3$、$YOF$など)はプラズマに触れても表面にとどまり蒸発しないため、非常に高い耐久性(耐プラズマ性)を持ちます。
・一方、イットリウム系($Y_2O_3$、$YOF$など)はプラズマに触れても表面にとどまり蒸発しないため、非常に高い耐久性(耐プラズマ性)を持ちます。
YOF膜の精密制御
二元同時蒸着技術により、プラズマでほとんど変化しない非常に緻密な「$YOF$膜」を自由に組成制御して形成できます。
世界初の成膜技術
イオンアシスト蒸着法(IAD)と酸素イオン照射を組み合わせ、世界で初めて「緻密で10μm以上の厚い$Y_2O_3$膜」の成膜に成功しています。
二元同時蒸着技術により、プラズマでほとんど変化しない非常に緻密な「$YOF$膜」を自由に組成制御して形成できます。
世界初の成膜技術
イオンアシスト蒸着法(IAD)と酸素イオン照射を組み合わせ、世界で初めて「緻密で10μm以上の厚い$Y_2O_3$膜」の成膜に成功しています。
導入メリット
歩留まり向上: ゴミの発生を防ぎ、半導体の製造不良を減らします。
装置稼働率の向上・コスト削減: 部品が長持ちするためメンテナンス頻度が減り、慣らし運転(エージング)時間も短縮できます。
装置稼働率の向上・コスト削減: 部品が長持ちするためメンテナンス頻度が減り、慣らし運転(エージング)時間も短縮できます。
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