受託成膜

tech info

Ion Assist蒸着による耐食性高融点金属酸化膜（Y₂O₃）の成膜受託ビジネス研究開発のお困りごとから特定プロセスの補完まで、最適膜の形成をワンストップでサポートします。

つばさ真空理研の３つの強み

つばさ真空理研株式会社は、長年にわたる半導体業界における経験を活かし、真空技術による成膜開発・製造・販売を行っています。

エッチングされない高融点金属酸化膜を成膜し、顧客の製品生産性や信頼性に寄与します。

オンリーワン技術であるIon Assist蒸着法で高品質なフッ素プラズマ耐食性と25μm以上の膜厚の成膜も可能です。

ウィンドウ再生サービスでは従来よりも低コストで提供することが可能です。

サービス内容

新成膜材料の開発
新成膜技術の開発
真空技術の指導
真空技術セミナーの開催

微細化競争の激化やEUVリソグラフィの実用化により予想以上のスピードで回路パターンの微細化、トランジスタの３次元化が進んでいます。これらに対応する半導体製造の現場では、不純物汚染やパーティクルが半導体製品の歩留や信頼性に大きな影響を及ぼしています。微細化技術の進展とともにエッチング装置内のパーティクル低減の要求は益々厳しくなっており、開発競争が繰り広げられています。

耐食性保護膜の開発は真空蒸着技術を使った成膜法、Ion Assist蒸着法（IAD）とY₂O₃成膜が現在の先端ですが、いずれYOFやYAG成膜の時代がやってくると思われます。

										Ion Assist蒸着
第1世代石英	→	第2世代 Alumina	→	第3世代 Alumina ＋溶射Y₂O₃	→	第4世代 Alumina ＋ AD成膜Y₂O₃	→	第4.5世代 Alumina ＋ Ion PlatingY₂O₃	→	第5世代 Alumina ＋ IAD成膜Y₂O₃