独自真空蒸着技術で
高融点金属酸化膜を
超緻密な厚膜に

 微細化競争の激化やEUVリソグラフィの実用化により予想以上のスピードで回路パターンの微細化、トランジスタの3次元化が進んでいます。これらに対応する半導体製造の現場では、不純物汚染やパーティクルが半導体製品の歩留や信頼性に大きな影響を及ぼしています。
　当社はお客様の状況に合わせて独自真空蒸着技術でエッチング装置のRFウィンドウ（アルミナ、石英）にY₂O₃の耐食性保護膜を厚く成膜することに成功しました。これにより装置のダウンタイムの大幅削減、発生するパーティクルが大幅に削減された為、お客様の生産性向上につながりました。Y₂O₃の成膜ではほぼ透明で高屈折率、高硬度で高耐熱な絶縁膜、多層膜による発色や膜厚による色変化も可能となり様々な用途展開が可能となりました。

微細化競争の激化やEUVリソグラフィの実用化により
予想以上のスピードで回路パターンの微細化、
トランジスタの3次元化が進んでいます。
これらに対応する半導体製造の現場では、不純物汚染や
パーティクルが半導体製品の歩留や信頼性に大きな影響を
及ぼしています。
当社はお客様の状況に合わせて独自真空蒸着技術で
エッチング装置のRFウィンドウ（アルミナ、石英）に
Y₂O₃の耐食性保護膜を厚く成膜することに成功しました。
これにより装置のダウンタイムの大幅削減、発生する
パーティクルが大幅に削減された為、お客様の生産性向上
につながりました。Y₂O₃の成膜ではほぼ透明で高屈折率、
高硬度で高耐熱な絶縁膜、多層膜による発色や膜厚による
色変化も可能となり様々な用途展開が可能となりました。